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子存在,偏压小于或等于8在沉积过程0V则不存在.中通入氮气,氮化物的形成降低了晶粒尺寸,粗糙度

[]—7下降至600nm.Xu等9在2006年已经在CH空

心微球表面制备出5扫描电子显微0m的Be球壳.毺镜(断面分析表明,SEM)Be为柱状结构.AFM功率

材料密度.Cu掺杂Be球壳的制备采用Be与Cu的共

[0]溅射.通过细致的研究发现:如果每McElfresh等1—1谱分析Be球壳的均方根表面粗糙度在101000模数之间为2膜层密度约为982nm.5%—96%块体Be

天按照正常的工作时间停止实验,涂层中的Be保持

柱状结构,当达到一定厚度时,生长方式由柱状生长

“扭曲的暠生长方式,这时得到的涂层密度较低.降低

图1暋NIF点火靶示意图转变为颗粒引发增长.如果保持连续沉积,则转变为沉积速率可以抑止“扭曲暠生长.实验没有发现Cu掺杂含量对涂层微观结构的影响.

线射入球壳最内层并保持其密度接近于氘氚(DT)燃料密度.柱腔的长度与直径根据靶丸材料的不同

略有差异,分别为1柱腔材料0mm和5.5mm左右.采用三层结构:最内层为金(保护层,为了减少Au)激光与A特别是u等离子体相互作用引起的散射,

),受激布里渊散射(在ASBSu保护层中适量掺入元

高原子序数(等离子体过快移动,改善腔内辐射Z)场的均匀性,柱腔内要填充低压混合气体或者超低/密度(二氧化硅(气凝胶材料.1mcm3)SiOg2);素硼(中间层为适当厚度(大于7的铀(B)m)U)毺层;最外层为3为了抑制腔壁0m厚的Au支撑层.毺[1]采用扩散连接方法制备LANL的Nobile等1首先在合金棒料上精密加工相应的BeCu合金靶丸.半球,然后通过真空扩散的方式将两个半球连接在一图2暋精密加工制备Be靶丸示意图起,最后再通过精密加工形成合金球壳(如图2所示)冲击波通过晶粒的速度是晶粒方向的函数,为了.避免冲击波通过时造成的不稳定性增长,必须保证合

金材料的晶粒小于1比靶丸壁厚小的晶粒尺寸0m.毺也是保证B另外eCu合金具有多晶材料强度的条件./合金材料中杂质的浓度必须小于100%Z2,Z是杂

质元素的原子序数.具有精细晶粒结构的Be及Be合

金一般采用粉末热等静压方法制备,但是该方法制备

的Be及Be合金在晶粒的边界处有大量的氧杂质存

在.为此开发了真空电弧熔化技术,通过反复地熔化

合金晶粒呈柱状且尺寸较大,为此采用等通道角挤压,成型技术(细eualchannelanularextrusionECAE)qg化晶粒.ECAE技术是将合金材料强制通过一个特殊

设计的通道,使其产生极大程度的应变,从而细化晶

因此可以避免靶丸始终处于燃料的冷40MPa的压力,

冻温度下.为了满足上述要求,两个半球的连接强度

必须接近金属B采用在连接表面沉积一层e的强度.)金属薄膜(的方法,可以提高连接强度.由于1mAl毺

·915·3暋研制进展情况3.1暋靶丸3.1.1暋Be靶丸通用原子公司(与LGA)LNL采用物理气相沉积(技术制备B首先采用磁控溅射技术在PVD)e靶丸.聚合物微球表面镀上一定厚度的B然e或BeCu涂层,后通过热降解除去聚合物微球,得到空心Be或BeCu微球.这可能是唯一一种能够制备梯度Cu掺杂Be靶丸的技术.相关的研究工作在20世纪90年代已经开重点关注如何改善薄膜表面形貌和微观结构.实验结果表明,基底加偏压有助于改善薄膜表面质量,加和酸刻蚀除去杂质.通过真空熔化技术获得的BeCu[]展.Alford等8研究了不同制备条件下Be膜的性质,粒.Be靶丸的优点之一在于它在室温下能承受薄膜均方根粗糙度从1120V偏压时,50nm降至同时晶粒尺寸有所降低而薄膜密度有所提高.40nm,在1薄膜内有氩粒XRF分析表明,20V偏压条件下,:暋物理·38卷(2009年)12期暋暋暋暋暋暋暋暋暋暋暋暋暋htt飋飋