铌酸锂 晶体_铌酸锂晶体的电光调制_铌酸锂调制器

图书信息内容简介

《光折变非线性光学材料：铌酸锂晶体》介绍用提拉法和顶上籽晶溶液法生长同成分和近化学计量比掺杂铌酸锂晶体，研究其晶体生长工艺、缺陷结构、抗光损伤、光学性能、光折变性能、全息存储性能和倍频性能，并介绍大容量体全息存储、位相共轭、全息关联存储、波导和倍频的应用研究。全书分掺杂铌酸锂晶体的基础理论、铌酸锂晶体应用基础理论和应用研究等三大部分，共十七章。《光折变非线性光学材料：铌酸锂晶体》可供材料、物理、化工和光信息存储等专业的科技人员和研究生参考。

目录

前言

第一章 铌酸锂晶体

1.1 铌酸锂晶体概述

1.2 铌酸锂晶体掺杂改性

1.3 掺杂铌酸锂晶体的应用

1.3.1 光学体全息存储

1.3.2 热固定法

1.3.3 电固定法

1.3.4 双光子固定法

1.3.5 单掺杂或非掺杂双光子固定法

1.3.6 双掺杂双光子固定法

1.4 光折变晶体的位相共轭

1.5 全息关联存储

1.6 集成光学的应用

1.6.1 光波导简述

1.6.2 光波导理论

1.6.3 平面光波导的传播模式

1.6.4 激光光束与波导之间的耦合方式

1.6.5 基片的制备

1.7 非线性光学的应用

参考文献

第二章 铌酸锂晶体的生长

2.1 提拉法生长铌酸锂晶体

2.1.1 原料合成

2.1.2 原料的预烧结

2.1.3 晶体生长

2.1.4 设备安装

2.1.5 溶质分疑和组分过冷

2.1.6 铌酸锂晶体生长的工艺参数

2.1.7 晶体生长过程

2.1.8 晶体的极化

2.1.9 晶体的加工

2.2 单掺杂LiNbO3晶体的生长

2.2.1 晶体生长和样品的制备

2.2.2 提高铌酸锂晶体光折变效应的掺杂浓度

2.2.3 氧化和还原处理

2.3 单掺和双掺杂铌酸锂晶体（抗光损伤杂质）的生长

2.3.1 掺抗光损伤杂质LiNbO3晶体的生长工艺

2.3.2 防止晶体开裂

2.3.3 生长条纹及其抑制

2.4 不同Li/Nb比LiNbO3晶体的生长

2.5 化学计量比铌酸锂晶体的生长

2.5.1 双坩埚技术

2.5.2 气相交换平衡法

2.5.3 顶上籽晶熔液生长（TSSG）法（熔盐提拉法）生长化学计量比铌酸锂

晶体

2.6 提拉法生长晶体的优缺点

2.7 坩埚下降法生长LiNbO3晶体

参考文献

第三章 铌酸锂晶体的光折变效应

3.1 光折变效应简介

3.2 光折变效应的特点

3.3 光折变效应的发展

3.4 光激发电场载流子的产生

3.5 电荷载流子的输运

3.5.1 扩散

3.5.2 漂移

3.5.3 光生伏打效应

3.5.4 电荷输运方程

3.6 光折变效应基本方程

3.7 光致空间电荷场

3.8 LiNbO3晶体中的光折变中心

3.9 光折变效应的物理过程

3.9.1 In：Ce：Cu：LiNbO3晶体中载流子输运模型

3.9.2 双光子LiNbO3晶体的光伏场与光强的关系

参考文献

第四章 铌酸锂晶体的结构及缺陷

4.1 铌酸锂晶体的基本结构

4.2 铌酸锂晶体的本征缺陷结构

4.3 铌酸锂晶体的非本征缺陷结构

4.3.1 二价掺杂离子的占位

4.3.2 高价掺杂离子的占位

4.4 铌酸锂晶体中Li/Nb比对结构和性能的影响

4.4.1 Li/Nb比对铌酸锂晶体Raman谱线宽的影响

4.4.2 Li/Nb比对铌酸锂晶体居里温度的影响

4.4.3 Li/Nb比对铌酸锂晶体折射率的影响

4.4.4 Li/Nb比对相匹配角和相匹配温度的影响

4.4.5 Li/Nb比对铌酸锂晶体密度和晶胞参数的影响

4.4.6 Li/Nb比对铌酸锂晶体光折变性能的影响

4.5 其他电荷输运模型