tft的阈值电压_电路中vdata_vref是什么意思

随着近年来多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)技术的不断发展，其应用越来越广泛，并逐渐被视为传统非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)的理想替代品。tft的阈值电压

相对于a-SiTFT，P-SiTFT有其明显的优势，如高迁移率、高速、高集成化，p型和n型导电模式，自对准结构以及耗电省、分辨率高等，在应用于显示领域时能提供更亮、更精细的画面。

为提高P-SiTFT的性能，研究者提出了很多不同的器件结构，如Offset结构、源漏轻掺杂(LDD)结构、P-N-P型栅结构、双有源层结构、双栅结构、超薄有源层结构等。

通过对这些结构的研究，TFT的某些性能可得到优化，影响其行为的一些不利因素可以被抑制，推动了TFT应用范围的扩展。

P-SiTFT的制造工艺和较为成熟的MOSFET制造工艺有很多不同。

本文针对这些差别，介绍了P-SiTFT制备过程中的一些关键工艺步骤；并结合工作实际，利用半导体研究、制造企业常用的光发射显微镜(EMMI,Emission Microscopy)、扫描电子显微镜(SEM，ScanningElectronMicroscopy)和反应离子刻蚀(RIE，ReactiveIonEtch)等实验手段，对容易导致器件电学性能失效的栅氧层进行了可靠性和失效分析。

同其它半导体器件一样，P-SiTFT器件尺寸的不断缩小也将带来一些负面效应，如漏致势垒降低(DIBL)效应、热载流子效应(HCE)、漏极附近载流子碰撞电离等。

这些现象在沟道长度接近2μm时已相当明显。tft的阈值电压

本工作提出了P-SiTFT的一种新结构-HaloLDD结构，有效抑制了P-SiTFT的一些短沟道效应。

论文首先研究了HaloLDDP-SiTFT的电学模型；在此基础上，利用工艺模拟软件Tsuprem4和器件模拟软件Medici，对新型HaloLDDP-SiTFT的阈值电压、I-V特性等电学性质进行了研究，并将其和常规结构的P-SiTFT，LDDP-SiTFT和HaloP-SiTFT的性质做了系统对比。

比较结果表明HaloLDDP-SiTFT在抑制阈值电压下降及漂移，降低泄漏电流，抗热载流子效应等方面具有明显的优势。

随后分析了HaloLDD结构的工艺条件，如LDD结构的注入剂量、长度，Halo结构的注入能量、注入角度、注入剂量等参数与阈值电压、阈值电压漂移、开态电流、关态电流、开关比等电学性能的关系，为优化器件参数提供了直接的依据。

最后，简单介绍了P-SiTFT在液晶显示领域的应用和前景..……