分子原子学說 二维与准二维材料的可控掺杂以及边界构型识别研究取得重要进展(3)

图5 含有两个噻吩基团的oligophenylene分子在Au(111)表面上聚合前后STM图及示意图。(a) 聚合前大面积STM图，(b) 聚合前高分辨STM图以及 (c) 结构示意图。(d) 聚合后大面积STM图，(e) 高分辨STM图（内嵌结构示意图）以及 (f) STM模拟图。

图6 硫掺杂石墨烯纳米带的电子结构。(a) STM图。(b) 在(a)图中的硫掺杂纳米带不同位置处的STS谱。(c) (a)图中硫掺杂石墨烯纳米带不同位置处的价带顶和导带底的位置分布。

图7 Au(111)表面外延生长的单层MoSe2岛的STM图及STS谱。左图：(a) 多个MoSe2岛STM图；(b) MoSe2岛高分辨STM图； (c) 结构图及(d) STM模拟图。右图：(a) MoSe2岛的一个摩尔周期内部三个特征位置的STS谱线；(b) 六边形MoSe2岛各个边界处的STS谱线。其中粉色阴影区域表示DFT计算得到的自由单层MoSe2的电子态密度。

图8 MoSe2岛边界构型与边界态。a：单层MoSe2岛Mo边的原子分辨STM图像。b：DFT计算得到的MoSe2纳米带的结构模型及相应的STM模拟图像。c：计算得到地MoSe2岛两个边的电子态密度谱线和实验测量得到的STS谱线对比。