铌酸锂 晶体_铌酸锂晶体的电光调制_铌酸锂调制器(2)

4.5.1 电子一空穴竞争模型

4.5.2 双中心电荷输运模型

4.5.3 三价态电荷输运模型

参考文献

第五章 铌酸锂晶体的生长基元与结晶形貌

5.1 化学键

5.2 晶体构型与化学键

5.3 晶体生长理论模型概述

5.4 铌酸锂晶体的形貌

5.4.1 晶体的结晶形貌

5.4.2 LN晶体结构与形貌

5.5 LN熔体结构与生长基元

5.5.1 LN熔体结构

5.5.2 LN晶体生长基元

5.6 铌酸锂晶体的结晶习性

5.6.1 铌酸锂晶体结晶学特征

5.6.2 铌酸锂结晶习性

5.7 影响晶体结晶形态的因素

参考文献

第六章 掺杂铌酸锂晶体双光束耦合及光折变性能

6.1 双光束耦合理论

6.2 掺杂铌酸锂薄晶体指数增益系数

6.2.1 双光束耦合实验

6.2.2 基于大角光致散射的机理分析

6.3 Ce：Mn系列LiNbO3晶体的光学性能和光折变性能

6.3.1 Ce：Mn系列铌酸锂晶体的原料配比

6.3.2 差热分析结果

6.3.3 晶体的极化及氧化还原处理

6.3.4 氧化还原处理

6.3.5 红外光谱测试结果

6.3.6 OH一吸收峰移动机理研究

6.3.7 紫外一可见吸收光谱分析

6.3.8 Li/Nb比对Ce：Mn：LiNbO3的指数增益系数的影响

6.3.9 双光束耦合衍射效率测试

6.3.1 0温度对Ce：Mn：LiNbO3晶体的指数增益系数的影响

参考文献

第七章 双掺杂铌酸锂晶体光折变效应

7.1 双掺杂铌酸锂晶体光折变增强的理论研究

7.1.1 双掺杂晶体中载流子输运模型

7.1.2 双掺杂晶体的光折变动力学方程

7.1.3 速率方程的稳态解

7.2 双掺杂铌酸锂晶体光折变增强的实验研究

7.3 Ce：Fe：LN晶体的光学性能和光折变性能

7.3.1 Ce：Fe：LN晶体的成分配比

7.3.2 居里温度

7.3.3 Ce：Fe：LN晶体的极化

7.3.4 铈铁系铌酸锂晶体晶格常数的计算及其结构分析

7.3.5 紫外一可见光吸收光谱

7.3.6 基础吸收边移动机理

7.3.7 Ce：Fe：LN晶体的光折变性能

参考文献

第八章 掺杂铌酸锂晶体全息存储性能研究

8.1 衍射效率

8.1.1 静态型全息光栅的衍射效率

……

第九章 掺杂铌酸锂晶体全息存储及其应用

第十章 光折变晶体中位相共轭效应及温度效应

第十一章 铒系列铌酸锂晶体的光学性能

第十二章 镁系列和锌系列铌酸锂晶体的光折变性能

第十三章 锢系列和钪系列铌酸锂晶体的光折变性能

第十四章 锆系列铌酸锂晶体光折变性能

第十五章 铪系列铌酸锂晶体光折变性能

第十六章 近化学计量比铌酸锂晶体的光学性能和光折变性能

第十七章 掺杂铌酸锂晶体倍频性能研究

精彩书摘

目前，光折变晶体全息存储的固定方法根据原理的不同主要分为两类：离子固定法和双光子固定法。离子固定法包括热固定和电固定法。离子固定是指，当光折变晶体在受热或外加电场时内部离子可以移动，而当冷却或有外加电场时内部离子不能移动，利用光折变晶体的这一特性来实现全息存储固定。双光子固定法是目前非常引人注目的非挥发性存储方法，包括掺杂双光子固定法（也称为两步记录法）和双掺杂双光子固定法。双光子固定法是指，在进行光栅记录过程中同时有不同频率的两束光照射晶体，其中有在开关光存在时对记录光敏感，能实现全息存储，而在开关光不存在时晶体对记录光不敏感，因此读出光便无法擦除所存储的信息。双光子固定法直接采用全光的方法记录与擦除，与热固定法相比，它读写与擦除效率速度快，数据转换效率高，具有极好的应用前景。这种方法是利用两种能量不同的光子来产生载流子（如图1.1，只考虑载流子是电子的情况），第一个光子将-处于深能级的电子激发到靠近导带的中间能级，当电子暂时处于中间能级时，第二个光子（与第一个光子频率不同）将电子激发到导带上，电子在导带上迁移、扩散、最终被深浅陷阱俘获，形成位相光栅。当用波长较长的光束读取信息时，由于它的能量不足以将较深能级中的电子激发出来，因而它就不会擦除位相光栅。当需要擦除时用两束光同时照射或用波长较短的光（开关光）单独照射。铌酸锂 晶体

1.3.5单掺杂或非掺杂双光子固定法

对于非掺杂的同成分铌酸锂晶体，双光子固定法是利用晶体的本征缺陷来实现的。铌酸锂 晶体在同成分铌酸锂晶体中，本征缺陷包含反位铌Nb4L+离子，它在晶体内充当浅能级。