mos管 阈值电压_mos阈值电压范围较宽_mos阈值电压测量

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cocolute (cocolute) 于(Wed Mar 11 18:02:18 2009)提到:

请问MOS管的阈值电压应该用什么方法提取？

我看到一种方法的思路如下：

1）固定VDS，VGS在一定电压范围内扫描（例如对于NMOS，范围可为0到5V），获得IDS—

VGS曲线；

2）根据IDS—VGS曲线画出gm—VGS曲线，并且找到gm的最大值，记录gm最大值对应的栅

源电压值V1；

3）在IDS—VGS曲线上V1点处做一切线，此切线与x轴坐标相交点就是阈值VTH。mos管 阈值电压

按照这种思路理解，gm最大值所对应的电压V1应该为MOS管饱和与非饱和的电压分界点？

为什么不直接根据 VDS=VGS-VTH 计算出阈值电压呢？

但在实验中发现，根据 VDS=VGS-VTH 计算出来的阈值电压和通过切线得到的阈值电压又

不一致，我也想不通为什么两者不一致，希望版上的xdjm多多指教！

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PuZW (葡萄) 于(Wed Mar 11 18:31:43 2009)提到:

取一组Ids和Vgs的数据（MOS管工作在饱和区），

然后把Vgs和sqrt(Ids)的当成X轴和Y轴，描点出来的那条直线与X轴相交点就是Vth

【 在 cocolute (cocolute) 的大作中提到: 】

: 请问MOS管的阈值电压应该用什么方法提取？

: 我看到一种方法的思路如下：

: 1）固定VDS，VGS在一定电压范围内扫描（例如对于NMOS，范围可为0到5V），获得IDS—

: ...................

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cocolute (cocolute) 于(Wed Mar 11 19:28:03 2009)提到:

谢谢！

这也是一种简单的方法！很多方法都是确定出饱和区和非饱和区，然后根据电流的公式

进行阈值电压求解，我现在就是困惑既然饱和区和非饱和区确定出来了，为什么不可以

通过VDS=VGS-VTH这个简单的关系式求解？

【 在 PuZW (葡萄) 的大作中提到: 】

: 取一组Ids和Vgs的数据（MOS管工作在饱和区），

: 然后把Vgs和sqrt(Ids)的当成X轴和Y轴，描点出来的那条直线与X轴相交点就是Vth

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PuZW (葡萄) 于(Thu Mar 12 08:10:50 2009)提到:

有亚阈值区的，你现在要去求Vth，那么进入饱和区的那个最小的Vds怎么求？分界线本来就是模糊的

【 在 cocolute (cocolute) 的大作中提到: 】

: 谢谢！

: 这也是一种简单的方法！很多方法都是确定出饱和区和非饱和区，然后根据电流的公式

: 进行阈值电压求解，我现在就是困惑既然饱和区和非饱和区确定出来了，为什么不可以

: ...................

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cocolute (cocolute) 于(Thu Mar 12 08:22:08 2009)提到:

Vds在测量时是设定的固定值呀，不用去求的吧？

还有在分界处应该早就跨过了亚阈值区的吧？

不解，求拍！

【 在 PuZW (葡萄) 的大作中提到: 】

: 有亚阈值区的，你现在要去求Vth，那么进入饱和区的那个最小的Vds怎么求？分界线本

: 来就是模糊的